全球最大的存储芯片制造商之一的三星电子(Samsung Electronics)宣布推出基于High-K Metal Gate(HKMG)工艺技术的512GB DDR5模块。它以高达7200 Mbps的速度提供DDR4的性能速度的两倍，专为超级计算，人工智能等高带宽应用而设计。
由于使用了传统上用于逻辑半导体的HKMG技术，三星新型DDR5模块的功耗降低了约13%，同时性能得到了提升。它利用硅通孔(TSV)技术，堆叠八层16Gb DRAM芯片，总容量为512GB。
三星目前正在向数据分析，机器学习，人工智能和超级计算领域的各种客户提供这些新的DDR5模块的样品。
